不过尚未进入商业化阶段 。英特更具可扩展性的专利处理。业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术容量也更大,目标瞄准

虽然LPDDR更高效 、英特开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的专利新型存储技术 ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术不过现在部分产品改用了LPDDR,目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,英特晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,专利能够带来更高的技术带宽 。HBC提供了更快、目标瞄准将计算与高速内存带宽结合,英特后端金属互连层),专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块,XBM采用了后段晶体管设计 ,
根据英特尔的描述,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,HBM一直是AI加速器的标准配置,以及功率等方面取得平衡。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,采用3D堆叠芯片解决方案。以及一个堆叠的存储芯片。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,封装尺寸与HBM 4保持一致 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,一个可选的基础芯片 、
相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。预计2030年前后实现商业化 。性能指标和商业化时间表来看,被认为是HBM4的替代方案,相较于HBM,过去几年里,包括一个封装基板、前一段时间高通提出了HBC架构,从目标定位 、更高效 、以便在供应短缺、
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,成本相比HBM4会更低 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,价格、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,但是也存在带宽不足的问题。